- Полупроводники
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 150А; Idm: 250А
Товары с точной идентификацией производителя и артикула. Цена, доступность и срок поставки зависят от выбранного товара.
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 150А; Idm: 250А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 75А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 90А; Idm: 240А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 64А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,1А; Idm: 70А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 90А; Idm: 200А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 90А; Idm: 240А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -90А; Idm: -90А
Симистор; 800В; 12А; TO263; Igt: 35мА; Ifsm: 120А; 3-Quadrant
Симистор; 800В; 12А; TO263; Igt: 10мА; Ifsm: 120А; 3-Quadrant
Симистор; 800В; 16А; TO263; Igt: 10/25мА; Ifsm: 140А; 4-Quadrant
Тиристор; 600В; Ifмакс: 20А; Igt: 25мА; TO263; SMD; бобина,лента
Тиристор; 600В; Ifмакс: 25А; Igt: 50мА; TO263; SMD; бобина,лента
Тиристор; 600В; Ifмакс: 16А; Igt: 6мА; TO263; SMD; бобина,лента
Тиристор; 600В; Ifмакс: 20А; Igt: 10мА; TO263; SMD; бобина,лента
Симистор; 800В; 8А; TO263; Igt: 35мА; Ifsm: 80А; 3-Quadrant
Симистор; 800В; 10А; TO263; Igt: 35мА; Ifsm: 100А; 3-Quadrant
Симистор; 800В; 12А; TO263; Igt: 35мА; Ifsm: 120А; 3-Quadrant
Симистор; 800В; 12А; TO263; Igt: 10мА; Ifsm: 120А; 3-Quadrant
Симистор; 800В; 16А; TO263; Igt: 35мА; Ifsm: 160А; 3-Quadrant
Симистор; 800В; 16А; TO263; Igt: 10мА; Ifsm: 160А; 3-Quadrant
Симистор; 800В; 20А; TO263; Igt: 35мА; Ifsm: 200А; 3-Quadrant
Симистор; 800В; 22А; TO263; Igt: 50мА; Ifsm: 250А; 3-Quadrant
Симистор; 800В; 30А; TO263; Igt: 50мА; Ifsm: 250А; 3-Quadrant
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.