VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SUM90N10-8M2P-E3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SUM90N10-8M2P-E3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 90А; Idm: 240А
Ток стока: 90 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SUM90N10-8M2P-E3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 90 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 17мОм; Рассеиваемая мощность — 300Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 150нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 240А.
Перед заказом проверьте артикул SUM90N10-8M2P-E3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 90 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SUM90N10-8M2P-E3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
