VBSEMI — страница 2

VBSEMI VBSEMI IRLU024NPB-VB, N-Channel 60 V (D-S) MOSFET аналог IRLU024NPBF MPN / артикул: IRLU024NPB-VB

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI PSMN017-80BS-VB, Транзистор N канал 80V 120A 6mOhm@10V (TO-263) аналог для PSMN017-80BS,118 MPN / артикул: PSMN017-80BS-VB

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236] аналог для SI2308BDS-T1-GE3 MPN / артикул: SI2308BDS-T1-GE3-VB

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236] аналог для SI2319CDS- MPN / артикул: SI2319CDS-T1-GE3-VB

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI Si4056ADY-T1-GE3, Биполярный транзистор MPN / артикул: Si4056ADY-T1-GE3

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI STS10P4LLF6-VB, транзистор P канал 40V 16.1A 10m-@10V,16.1A (SO-8) аналог для STS10P4LLF6 MPN / артикул: STS10P4LLF6-VB

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI VB1102M, МОП-транзистор, 100 V Pd - рассеивание мощности: 2.5 Вт SOT23-3 MPN / артикул: VB1102M

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3) MPN / артикул: VB2658

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI VBA2216, 1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G MPN / артикул: VBA2216

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI VBA2311, P-Channel 30-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G MPN / артикул: VBA2311

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS MPN / артикул: VBA3638

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI VBA4338, транзистор P канал -30V -6.3A (SO-8) аналог для IRF7306TRPBF MPN / артикул: VBA4338

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI VBA5638, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF MPN / артикул: VBA5638

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI VBL165R04, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF720SPBF MPN / артикул: VBL165R04

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI VBL165R18, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF740ASPBF MPN / артикул: VBL165R18

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI VBZA9945, Биполярный транзистор N-канал 60В (=SI9945BDY-T1-GE3) MPN / артикул: VBZA9945

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI VBZE50P06, транзистор P канал 60В 50А 100Вт 1.5В/250мкА TO252-2 = 50P06 MPN / артикул: VBZE50P06

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.

VBSEMI VBSEMI VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог RS65R190F , IPA60R180P7S, CRJF190N6 MPN / артикул: VBZMB20N65S

• Полупроводники

Точное исполнение и применяемость проверяются по маркировке.