Корзина
VBSEMI · Полупроводники

VBSEMI SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236] аналог для SI2319CDS-

MPN / артикул: SI2319CDS-T1-GE3-VB

VBSEMI SI2319CDS-T1-GE3-VB относится к группе «транзисторы полевые». Для этого исполнения указаны: напряжение 30В. При заказе укажите артикул SI2319CDS-T1-GE3-VB и производителя VBSEMI. Перед включением в спецификацию сопоставьте обозначение с требованиями вашей схемы или оборудования.

Производитель автоматикиVBSEMI
АртикулSI2319CDS-T1-GE3-VB
РазделПолупроводники
Единицашт
Фото товара

VBSEMI SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236] аналог для SI2319CDS-

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

VBSEMI SI2319CDS-T1-GE3-VB относится к группе «транзисторы полевые».

Для этого исполнения указаны: напряжение 30В.

При заказе укажите артикул SI2319CDS-T1-GE3-VB и производителя VBSEMI. Перед включением в спецификацию сопоставьте обозначение с требованиями вашей схемы или оборудования.

Перед заказом проверьте артикул SI2319CDS-T1-GE3-VB, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Тип товара
транзисторы полевые
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SI2319CDS-T1-GE3-VB
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV