TPD3215M, Модуль силовой GaN MOSFET сборка 2 N-канальный 600В 70А 470Вт

Модуль силовой GaN MOSFET TPD3215M представляет собой высокоэффективное решение с двумя N-канальными транзисторами, рассчитанными на напряжение до 600 В и ток до 70 А. Максимальная мощность модуля достигает 470 Вт, что обеспечивает надежную работу в условиях высоких нагрузок и повышенной температуры. Конструкция модуля оптимизирована для минимизации потерь и повышения быстродействия, что делает его идеальным выбором для применения в силовой электронике и преобразователях энергии.

TPD3215M отличается компактным форм-фактором и высокой степенью интеграции, что упрощает монтаж и снижает габариты конечного устройства. Использование GaN-технологии обеспечивает улучшенную эффективность и долговечность по сравнению с традиционными силовыми MOSFET. Модуль подходит для применения в источниках питания, инверторах и системах управления двигателями, где требуется высокая надежность и производительность.