SKM200GB12T4, Модуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin

Описание модуля SKM200GB12T4

Модуль силовой IGBT SKM200GB12T4 представляет собой N-канальный транзистор с максимальным напряжением 1200 В и током 313 А. Конструкция модуля выполнена с 7-контактным выводом, что обеспечивает удобство монтажа и надежное электрическое соединение. Данный модуль предназначен для использования в силовой электронике, обеспечивая высокую эффективность переключения и устойчивость к нагрузкам.

SKM200GB12T4 отличается высокой надежностью и стабильностью работы при эксплуатации в различных промышленных приложениях. Его технические характеристики позволяют применять модуль в преобразователях частоты, инверторах и системах управления электродвигателями, где требуется высокая коммутационная скорость и минимальные потери.

Модуль выполнен с учетом современных требований к теплоотводу и долговечности, что гарантирует длительный срок службы и стабильную работу в условиях повышенных нагрузок.