YANGJIE TECHNOLOGY
· Полупроводники
YANGJIE TECHNOLOGY YJQ4666B — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: YJQ4666B
Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; -16В; -5,6А; 2,2Вт
Монтаж: SMD · Корпус: DFN2020-6 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
YANGJIE TECHNOLOGY YJQ4666B. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DFN2020-6; Напряжение сток-исток — -16В; Ток стока — -5,6А.
Сопротивление в открытом состоянии — 60мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,2Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 7,2нC; Технология — TRENCH POWER LV; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±10В.
Ток стока в импульсном режиме — -28А.
Перед заказом проверьте артикул YJQ4666B, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DFN2020-6
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- YJQ4666B
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
