YANGJIE TECHNOLOGY
· Полупроводники
YANGJIE TECHNOLOGY YJG80G06A — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: YJG80G06A
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 50А; 38Вт
Ток стока: 50 А · Монтаж: SMD · Корпус: DFN5060-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
YANGJIE TECHNOLOGY YJG80G06A — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 50 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DFN5060-8.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 5мОм; Рассеиваемая мощность — 38Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 67нC; Технология — SPLIT GATE TRENCH; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 320А.
Перед заказом проверьте артикул YJG80G06A, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 50 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DFN5060-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- YJG80G06A
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
