WAYON · Полупроводники

WAYON WMO80R1K0S — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: WMO80R1K0S

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 3,6А; Idm: 22А; 70Вт

Производитель автоматикиWAYON
АртикулWMO80R1K0S
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 3,6 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

WAYON WMO80R1K0S — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

WAYON WMO80R1K0S — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,6 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252.

Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,05Ом; Рассеиваемая мощность — 70Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 13,2нC; Технология — WMOS™ S; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.

Ток стока в импульсном режиме — 22А.

Перед заказом проверьте артикул WMO80R1K0S, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
3,6 А
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
WMO80R1K0S
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.