О модели
Описание
WAYON WMO4N80D1B — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 4 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252.
Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 3,5Ом; Рассеиваемая мощность — 96Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 13нC; Технология — WMOS™ D1; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Ток стока в импульсном режиме — 16А.
Перед заказом проверьте артикул WMO4N80D1B, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- WMO4N80D1B
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
