WAYON
· Полупроводники
WAYON WMB175N10HG4 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: WMB175N10HG4
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 29А; Idm: 184А; 71,4Вт; 30нс
Ток стока: 29 А · Монтаж: SMD · Корпус: PDFN5060-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
WAYON WMB175N10HG4 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 29 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PDFN5060-8.
Время готовности — 30нс; Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 17,5мОм; Рассеиваемая мощность — 71,4Вт.
Полярность — полевой; Заряд затвора — 17нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 184А.
Перед заказом проверьте артикул WMB175N10HG4, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 29 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PDFN5060-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- WMB175N10HG4
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
