WAYON
· Полупроводники
WAYON WMB119N12HG4 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: WMB119N12HG4
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 65А; Idm: 260А; 96,1Вт
Ток стока: 65 А · Монтаж: SMD · Корпус: PDFN5060-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
WAYON WMB119N12HG4 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 65 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PDFN5060-8.
Напряжение сток-исток — 120В; Сопротивление в открытом состоянии — 12мОм; Рассеиваемая мощность — 96,1Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 23,7нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 260А.
Перед заказом проверьте артикул WMB119N12HG4, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 65 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PDFN5060-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- WMB119N12HG4
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
