WAYON
· Полупроводники
WAYON WMB049N12HG2 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: WMB049N12HG2
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 66А; Idm: 420А; 113,6Вт
Ток стока: 66 А · Монтаж: SMD · Корпус: PDFN5060-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
WAYON WMB049N12HG2 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 66 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PDFN5060-8.
Напряжение сток-исток — 120В; Сопротивление в открытом состоянии — 5мОм; Рассеиваемая мощность — 113,6Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 67нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 420А.
Перед заказом проверьте артикул WMB049N12HG2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 66 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PDFN5060-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- WMB049N12HG2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
