WAYON
· Полупроводники
WAYON WMB043N10LGS — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: WMB043N10LGS
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 480А; 131,6Вт
Ток стока: 120 А · Монтаж: SMD · Корпус: PDFN5060-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
WAYON WMB043N10LGS — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 120 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PDFN5060-8.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 4,5мОм; Рассеиваемая мощность — 131,6Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 111,2нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 480А.
Перед заказом проверьте артикул WMB043N10LGS, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 120 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PDFN5060-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- WMB043N10LGS
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
