VLSI
· Интегральные микросхемы
VLSI VS23S010D-L — Памяти SRAM параллельные
MPN / артикул: VS23S010D-L
IC: память SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48
Тип микросхемы: память SRAM · Монтаж: SMD · Корпус: LQFP48 · Тип товара: Памяти SRAM параллельные
О модели
Описание
VLSI VS23S010D-L. Категория: «Памяти SRAM параллельные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — LQFP48; Рабочее напряжение — 1,5...3,6В; Тип микросхемы — память SRAM.
Вид памяти — SRAM; Структура памяти — 128Кx8бит; Тактовая частота — 40МГц; Виды интерфейса — параллельный.
Память — 1Мб SRAM.
Перед заказом проверьте артикул VS23S010D-L, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память SRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- LQFP48
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- VS23S010D-L
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
