О модели
Описание
VISHAY VS-GT180DA120U. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SOT227B; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — одиночный транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 185 А; Ток коллектора в импульсе — 390А; Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Технология — Trench; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул VS-GT180DA120U, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 185 А
- Корпус
- SOT227B
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- VS-GT180DA120U
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
