VISHAY · Полупроводники

VISHAY SUP70101EL-GE3 — Транзисторы с каналом P THT

MPN / артикул: SUP70101EL-GE3

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -120А; Idm: -240А

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSUP70101EL-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: THT · Корпус: TO220AB · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P THT

Фото товара

VISHAY SUP70101EL-GE3 — Транзисторы с каналом P THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SUP70101EL-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P THT».

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220AB; Напряжение сток-исток — -100В; Ток стока — -120А.

Сопротивление в открытом состоянии — 15мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 375Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 0,19мкC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Ток стока в импульсном режиме — -240А.

Перед заказом проверьте артикул SUP70101EL-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SUP70101EL-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.