VISHAY · Полупроводники

VISHAY SUP70060E-GE3 — Транзисторы с каналом N THT

MPN / артикул: SUP70060E-GE3

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 131А; Idm: 240А

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSUP70060E-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 131 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220AB · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT

Фото товара

VISHAY SUP70060E-GE3 — Транзисторы с каналом N THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SUP70060E-GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 131 А.

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220AB.

Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 6,4мОм; Рассеиваемая мощность — 200Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 81нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Ток стока в импульсном режиме — 240А.

Перед заказом проверьте артикул SUP70060E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
131 А
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SUP70060E-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.