VISHAY · Полупроводники

VISHAY SUP70030E-GE3 — Транзисторы с каналом N THT

MPN / артикул: SUP70030E-GE3

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 500А

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSUP70030E-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 150 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220AB · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT

Фото товара

VISHAY SUP70030E-GE3 — Транзисторы с каналом N THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SUP70030E-GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 150 А.

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220AB.

Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 3,84мОм; Рассеиваемая мощность — 375Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 214нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Ток стока в импульсном режиме — 500А.

Перед заказом проверьте артикул SUP70030E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
150 А
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SUP70030E-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.