VISHAY · Полупроводники

VISHAY SUP60061EL-GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SUP60061EL-GE3

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -150А; Idm: -250А; 375Вт

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSUP60061EL-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: THT · Корпус: TO220AB · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

VISHAY SUP60061EL-GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SUP60061EL-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220AB; Напряжение сток-исток — -80В; Ток стока — -150А.

Сопротивление в открытом состоянии — 5,8мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 375Вт; Полярность — полевой.

Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -250А.

Перед заказом проверьте артикул SUP60061EL-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SUP60061EL-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.