VISHAY · Полупроводники

VISHAY SUM70090E-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SUM70090E-GE3

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 50А; Idm: 120А

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSUM70090E-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 50 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SUM70090E-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SUM70090E-GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 50 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.

Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 9,3мОм; Рассеиваемая мощность — 125Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 50нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Ток стока в импульсном режиме — 120А.

Перед заказом проверьте артикул SUM70090E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
50 А
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK, TO263
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SUM70090E-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.