О модели
Описание
VISHAY SUM60061EL-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263; Напряжение сток-исток — -80В; Ток стока — -150А.
Сопротивление в открытом состоянии — 8,6мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 375Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 218нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — -250А.
Перед заказом проверьте артикул SUM60061EL-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SUM60061EL-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
