VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SUM60030E-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SUM60030E-GE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 0,005А; Idm: 500А
Ток стока: 0,005 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SUM60030E-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,005 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.
Напряжение сток-исток — 80В; Сопротивление в открытом состоянии — 3,2мОм; Рассеиваемая мощность — 375Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 94нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 500А.
Перед заказом проверьте артикул SUM60030E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,005 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SUM60030E-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
