VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SUM40010EL-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SUM40010EL-GE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 120А; Idm: 300А
Ток стока: 120 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SUM40010EL-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 120 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.
Напряжение сток-исток — 40В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,9мОм; Рассеиваемая мощность — 375Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 230нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 300А.
Перед заказом проверьте артикул SUM40010EL-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 120 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SUM40010EL-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
