О модели
Описание
VISHAY SUM110P04-05-E3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263; Напряжение сток-исток — -40В; Ток стока — -33А.
Сопротивление в открытом состоянии — 5мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 375Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 280нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул SUM110P04-05-E3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SUM110P04-05-E3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
