VISHAY · Полупроводники

VISHAY SUD80460E-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SUD80460E-GE3

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42А; Idm: 40А

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSUD80460E-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 42 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SUD80460E-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SUD80460E-GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 42 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.

Напряжение сток-исток — 150В; Сопротивление в открытом состоянии — 44,7мОм; Рассеиваемая мощность — 65,2Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 16нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Ток стока в импульсном режиме — 40А.

Перед заказом проверьте артикул SUD80460E-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
42 А
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK, TO252
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SUD80460E-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.