VISHAY · Полупроводники

VISHAY SUD35N10-26P-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SUD35N10-26P-GE3

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 40А; 83Вт

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSUD35N10-26P-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 35 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SUD35N10-26P-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 35А; Idm: 40А; 83Вт

Перед заказом проверьте артикул SUD35N10-26P-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
SUD35N10-26P-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV