VISHAY · Полупроводники

VISHAY SUD19N20-90-E3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SUD19N20-90-E3

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 11А; 136Вт

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSUD19N20-90-E3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 11 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SUD19N20-90-E3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SUD19N20-90-E3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 11 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.

Напряжение сток-исток — 200В; Сопротивление в открытом состоянии — 90мОм; Рассеиваемая мощность — 136Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 34нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Перед заказом проверьте артикул SUD19N20-90-E3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
11 А
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK, TO252
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SUD19N20-90-E3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.