О модели
Описание
VISHAY SUD09P10-195-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252; Напряжение сток-исток — -100В; Ток стока — -8,8А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,195Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 32,1Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 34,8нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — -15А.
Перед заказом проверьте артикул SUD09P10-195-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SUD09P10-195-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
