VISHAY · Полупроводники

VISHAY SQM40081EL_GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SQM40081EL_GE3

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -50А; 107Вт; D2PAK,TO263

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSQM40081EL_GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

VISHAY SQM40081EL_GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SQM40081EL_GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263; Напряжение сток-исток — -40В; Ток стока — -50А.

Сопротивление в открытом состоянии — 8,5мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 107Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 230нC; Вид канала — обогащенный.

Перед заказом проверьте артикул SQM40081EL_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK, TO263
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SQM40081EL_GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.