VISHAY · Полупроводники

VISHAY SQM40061EL_GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SQM40061EL_GE3

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -72А; Idm: -300А; 150Вт

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSQM40061EL_GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

VISHAY SQM40061EL_GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SQM40061EL_GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263; Напряжение сток-исток — -40В; Ток стока — -72А.

Сопротивление в открытом состоянии — 5,1мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 150Вт; Полярность — полевой.

Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -300А.

Перед заказом проверьте артикул SQM40061EL_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK, TO263
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SQM40061EL_GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.