VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SQM110N05-06L_GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SQM110N05-06L_GE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 55В; 64А; Idm: 443А
Ток стока: 64 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SQM110N05-06L_GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 64 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263.
Напряжение сток-исток — 55В; Сопротивление в открытом состоянии — 6мОм; Рассеиваемая мощность — 157Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 110нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 443А.
Перед заказом проверьте артикул SQM110N05-06L_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 64 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQM110N05-06L_GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
