VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SQJ120EP-T1_GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SQJ120EP-T1_GE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 202А; 130Вт
Ток стока: 202 А · Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SQJ120EP-T1_GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 202 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® SO8.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,8мОм; Рассеиваемая мощность — 130Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 58нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул SQJ120EP-T1_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 202 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® SO8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQJ120EP-T1_GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
