VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SQD97N06-6M3L_GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SQD97N06-6M3L_GE3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 97А; 136Вт; DPAK,TO252AA
Ток стока: 97 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252AA · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SQD97N06-6M3L_GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 97 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252AA.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 5мОм; Рассеиваемая мощность — 136Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 125нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул SQD97N06-6M3L_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 97 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252AA
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQD97N06-6M3L_GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
