О модели
Описание
VISHAY SQD45P03-12_GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -37А.
Сопротивление в открытом состоянии — 10мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 23Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 55,3нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул SQD45P03-12_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQD45P03-12_GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
