VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SQD30N05-20L_GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SQD30N05-20L_GE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 55В; 30А; Idm: 120А; 50Вт
Ток стока: 30 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SQD30N05-20L_GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 30 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 55В; Сопротивление в открытом состоянии — 43мОм; Рассеиваемая мощность — 50Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 18нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 120А.
Перед заказом проверьте артикул SQD30N05-20L_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 30 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQD30N05-20L_GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
