VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SQD23N06-31L_GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SQD23N06-31L_GE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 13А; Idm: 90А; 37Вт
Ток стока: 13 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SQD23N06-31L_GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 13 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 31мОм; Рассеиваемая мощность — 37Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 16нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 90А.
Перед заказом проверьте артикул SQD23N06-31L_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 13 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQD23N06-31L_GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
