VISHAY · Полупроводники

VISHAY SQ4470EY-T1_GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: SQ4470EY-T1_GE3

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 9А; Idm: 67А; 7,1Вт

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSQ4470EY-T1_GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 9 А · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

VISHAY SQ4470EY-T1_GE3 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SQ4470EY-T1_GE3 — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 9 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SO8.

Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 12мОм; Рассеиваемая мощность — 7,1Вт; Полярность — полевой.

Заряд затвора — 45нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Ток стока в импульсном режиме — 67А.

Перед заказом проверьте артикул SQ4470EY-T1_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
9 А
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SQ4470EY-T1_GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.