VISHAY · Полупроводники

VISHAY SQ3427AEEV-T1_GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SQ3427AEEV-T1_GE3

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,3А; Idm: -21А

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSQ3427AEEV-T1_GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: TSOP6 · Корпус: SC74 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

VISHAY SQ3427AEEV-T1_GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SQ3427AEEV-T1_GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC74; TSOP6; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -5,3А.

Сопротивление в открытом состоянии — 178мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,6Вт; Полярность — полевой.

Версия — ESD; Заряд затвора — 22нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный.

Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — -21А.

Перед заказом проверьте артикул SQ3427AEEV-T1_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
SC74, TSOP6
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SQ3427AEEV-T1_GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.