VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SQ3410EV-T1_GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SQ3410EV-T1_GE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,8А; Idm: 32А; 5Вт
Ток стока: 6,8 А · Монтаж: SMD · Корпус: TSOP6 · Корпус: SC74 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SQ3410EV-T1_GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 6,8 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC74; TSOP6.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 17,5мОм; Рассеиваемая мощность — 5Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 14нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 32А.
Перед заказом проверьте артикул SQ3410EV-T1_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 6,8 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC74, TSOP6
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQ3410EV-T1_GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
