VISHAY · Полупроводники

VISHAY SQ2337CEST1GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SQ2337CEST1GE3

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -2,2А; 3Вт; SOT23

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSQ2337CEST1GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

VISHAY SQ2337CEST1GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SQ2337CEST1GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; Напряжение сток-исток — -80В; Ток стока — -2,2А.

Сопротивление в открытом состоянии — 0,29Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 3Вт; Полярность — полевой.

Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.

Перед заказом проверьте артикул SQ2337CEST1GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SQ2337CEST1GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.