О модели
Описание
VISHAY SQ2308CES-T1_GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,325Ом; Рассеиваемая мощность — 2Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 3,5нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 9А.
Перед заказом проверьте артикул SQ2308CES-T1_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQ2308CES-T1_GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
