VISHAY · Полупроводники

VISHAY SQ2301CES-T1_GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SQ2301CES-T1_GE3

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,9А; 3Вт; SOT23

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSQ2301CES-T1_GE3
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

VISHAY SQ2301CES-T1_GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

VISHAY SQ2301CES-T1_GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -3,9А.

Сопротивление в открытом состоянии — 0,12Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 3Вт; Полярность — полевой.

Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.

Перед заказом проверьте артикул SQ2301CES-T1_GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
SQ2301CES-T1_GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.