VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SQ1912AEEH-T1-GE3 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: SQ1912AEEH-T1-GE3
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 0,8А; Idm: 3А
Ток стока: 0,8 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT363 · Корпус: SC70-6 · Тип транзистора: N-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
VISHAY SQ1912AEEH-T1-GE3. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC70-6; SOT363; Напряжение сток-исток — 20В; Ток стока — 0,8 А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,2Ом; Тип транзистора — N-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 1,5Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 1,25нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Ток стока в импульсном режиме — 3А.
Перед заказом проверьте артикул SQ1912AEEH-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,8 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC70-6, SOT363
- Тип транзистора
- N-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SQ1912AEEH-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
