VISHAY · Полупроводники

VISHAY SQ1912AEEH-T1-GE3 — Транзисторы многоканальные

MPN / артикул: SQ1912AEEH-T1-GE3

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 0,8А; Idm: 3А

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSQ1912AEEH-T1-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт
Фото товара

VISHAY SQ1912AEEH-T1-GE3 — Транзисторы многоканальные

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 0,8А; Idm: 3А

Перед заказом проверьте артикул SQ1912AEEH-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
SQ1912AEEH-T1-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV