VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIUD401ED-T1-GE3 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: SIUD401ED-T1-GE3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -0,5А; Idm: -1А
Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® 0806-3 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
VISHAY SIUD401ED-T1-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® 0806-3; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -0,5А.
Сопротивление в открытом состоянии — 3,5Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,25Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 2нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Ток стока в импульсном режиме — -1А.
Перед заказом проверьте артикул SIUD401ED-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® 0806-3
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIUD401ED-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
