VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SISS80DN-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SISS80DN-T1-GE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 169А; Idm: 300А
Ток стока: 169 А · Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® 1212-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SISS80DN-T1-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 169 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® 1212-8.
Напряжение сток-исток — 20В; Сопротивление в открытом состоянии — 3мОм; Рассеиваемая мощность — 42Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 122нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -8...12В.
Ток стока в импульсном режиме — 300А.
Перед заказом проверьте артикул SISS80DN-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 169 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® 1212-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SISS80DN-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
