VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SISS23DN-T1-GE3 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: SISS23DN-T1-GE3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -50А; Idm: -200А
Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® 1212-8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
VISHAY SISS23DN-T1-GE3. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® 1212-8; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -50А.
Сопротивление в открытом состоянии — 4,5мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 36Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 300нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Ток стока в импульсном режиме — -200А.
Перед заказом проверьте артикул SISS23DN-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® 1212-8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SISS23DN-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
