VISHAY · Полупроводники

VISHAY SISS05DN-T1-GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: SISS05DN-T1-GE3

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -86,6А; Idm: -300А

Производитель автоматикиVISHAY
АртикулSISS05DN-T1-GE3
РазделПолупроводники
Единицашт
Фото товара

VISHAY SISS05DN-T1-GE3 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -86,6А; Idm: -300А

Перед заказом проверьте артикул SISS05DN-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
SISS05DN-T1-GE3
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV