VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIS892ADN-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIS892ADN-T1-GE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 28А; 52Вт
Ток стока: 28 А · Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® 1212-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
VISHAY SIS892ADN-T1-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 28 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® 1212-8.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 47мОм; Рассеиваемая мощность — 52Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 6,1нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул SIS892ADN-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 28 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® 1212-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIS892ADN-T1-GE3
Материалы
Документация
Техническое описание: SIS892ADN-T1-GE3EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
