VISHAY
· Полупроводники
VISHAY SIS412DN-T1-GE3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: SIS412DN-T1-GE3
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Ток стока: 12 А · Монтаж: SMD · Корпус: PowerPAK® 1212-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
VISHAY SIS412DN-T1-GE3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 12 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PowerPAK® 1212-8.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 24мОм; Рассеиваемая мощность — 10Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 12нC; Технология — TrenchFET®; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 30А.
Перед заказом проверьте артикул SIS412DN-T1-GE3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 12 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PowerPAK® 1212-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SIS412DN-T1-GE3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
